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SI4426DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 8.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

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陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
SI4488DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
RT0402CRE07619RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 619 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7322DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
SH564S4S144
传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
RTE1000G14
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY 10POS BCD SMT