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SI4418DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4418DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4418DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

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FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
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