SI4396DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1675pF @ 15V
- 功率_最大:5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4396DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1675pF @ 15V
- 功率_最大:5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4396DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1675pF @ 15V
- 功率_最大:5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4396DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1675pF @ 15V
- 功率_最大:5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4396DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1675pF @ 15V
- 功率_最大:5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4396DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1675pF @ 15V
- 功率_最大:5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 3.48KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC
- 传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft 径向,Can SHIELDED DC MICRO-MIZER
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 22.1K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 24VIN +/-12VOUT
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC REG BUCK ADJ 8A 8SOP
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 3.3UF 100V 20% RADIAL
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 24VIN +/-12VOUT
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 22.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 3.83KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 80V 32A PPAK 8SOIC