SI4378DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8500pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4378DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8500pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4378DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8500pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4378DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8500pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4378DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8500pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4378DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8500pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL
- 配件 TE Connectivity 9-LBGA RETAINING CLIP FOR 15.7MM RT78
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
- 存储器 Microchip Technology 32-LCC(J 形引线) IC FLASH SER LPC 16MBIT 32PLCC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 20 OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS UNIDIR 600W 15V 5% SMB
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70,SOT-323 POWER SUPPLY IND 48V 6.5A 312W
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL
- 配件 TE Connectivity 9-LBGA MARKING TAG FOR RT78
- 存储器 Microchip Technology 32-TFSOP(0.488",12.40mm 宽) IC FLASH SER LPC 16MBIT 32TSOP
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMB
- 成角度,线性位置测量 Honeywell Sensing and Control SC-70,SOT-323 SENSOR HALL EFFECT ROTARY
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX Y/G