SI4362-B0B-FM详细规格
- 类别:RF 接收器
- 描述:RECEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN
- 系列:EZRadioPRO®
- 制造商:Silicon Laboratories Inc
- 频率:142MHz ~ 1.05GHz
- 灵敏度:-124dBm
- 数据传输率_最大:1Mbps
- 调制或协议:-
- 应用:通用
- 电流_接收:13mA
- 数据接口:*
- 存储容量:-
- 天线连接器:*
- 特点:-
- 电源电压:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:*
- 供应商设备封装:*
- 包装:*
SI4362BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:29A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫欧 @ 19.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:115nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
- 功率_最大:6.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4362BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:29A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫欧 @ 19.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:115nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4800pF @ 15V
- 功率_最大:6.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4368DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8340pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4368DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8340pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4368DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:8340pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC CMOS PROG 1.8V ST SMD
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 1500PF 25V 10% NP0 0805
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 2200PF 1KV 10% X7R 1210
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC CMOS PROG 1.8V OE SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 1500PF 25V 10% NP0 0805
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 0.022UF 630V 5% X7R 1210
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC