SI3529DV-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.95A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫欧 @ 2.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:205pF @ 20V
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI3529DV-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.95A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫欧 @ 2.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:205pF @ 20V
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 75UF 370VAC QC TERM
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc T 1 3/4 EMITTER IR 950NM 5MM
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA,SMB TVS 600W 56V BIDIRECT SMBJ
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 7.0V 5% SMC
- TVS - 二极管 Diodes/Zetex DO-214AB,SMC TVS UNI-DIR 160V 1500W SMC
- 可调功率电阻 Vishay Sfernice 圆柱形,管件 RESISTOR 1.0 OHM 200W 10% WW
- 振荡器 EPSON 8-DIP,4 引线(半尺寸) OSCILLATOR 9.8304MHZ PDIP
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,Boomerang EMITTER IR 950NM HISPEED R/A SMD
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA,SMB TVS 600W 62V UNIDIRECT SMBJ
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS BIDIR 1.5KW 7.0V 5% SMC
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS UNIDIRECT 1500W 160V SMC
- 卡导轨 Richco Plastic Co 圆柱形,管件 SINGLE SIDED CARD GUIDE BLACK
- 振荡器 EPSON 8-DIP,4 引线(半尺寸) OSCILLATOR 32.7680MHZ PDIP
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,Boomerang EMITTER IR 950NM HISPEED R/A SMD