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SI3529DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.95A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：205pF @ 20V; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

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MNR14E0ABJ114
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206
RT1206FRE0727KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 27.0K OHM 1/4W 1% SMD 1206
SI3495DV-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
RTS-1212/HP
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT
SM6227FT84R5
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 84.5 OHM 3W 1% WW 6227
SST39LF040-55-4I-NHE
存储器 Microchip Technology 32-LCC（J 形引线） IC FLASH MPF 4MBIT 55NS 32PLCC
RW1S0BAR033FT
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2512 J 形引线 RES POWER .033 OHM 1W 1% SMT
SR211C473KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
MNR14E0ABJ114
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 110K OHM 4 RES 1206
RTS-1212/HP-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT
SM6227FT8R06
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 8.06 OHM 3W 1% WW 6227
SST39LF200A-45-4C-B3KE
存储器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 48TFBGA
SR211C473MAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL
RW1S0BAR036JET
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2512 J 形引线 RES POWER .036 OHM 1W 5% SMT
MNR14E0ABJ121
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 120 OHM 4 RES 1206