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SI3499DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫欧 @ 7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：750mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3499DV-T1-GE3供应商

SQCAEM0R3BAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 0.3PF 150V 0605
SDL-117-TT-10
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 34POS DUAL TIN
SI3499DV-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
RT1206BRD07249KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 249K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SFR2500001272FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 12.7K OHM MET FILM .40W 1%
SI5499DC-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
RT0805BRE072K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 2.20K OHM 1/8W .1% SMD 0805
RT1206FRE07976KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 976K OHM 1/4W 1% SMD 1206
SQCAEM0R4BAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 0.4PF 150V 0605
RT1206BRD07255KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 255K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SI5504BDC-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SFR2500001273FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 127K OHM METAL FILM .40W 1%
RT1206FRE079K09L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 9.09K OHM 1/4W 1% SMD 1206
RT0805BRE072K55L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 2.55K OHM 1/8W .1% SMD 0805
SDL-124-G-11
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 48POS DUAL GOLD

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