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SI3483CDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫欧 @ 6.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 15V; 功率_最大：4.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3483CDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫欧 @ 6.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 15V; 功率_最大：4.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI3483CDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫欧 @ 6.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1000pF @ 15V; 功率_最大：4.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

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芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 6.34 OHM 3W 1% WW 6227
MNR14E0ABJ105
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206
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