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SI3445DV-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

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SI3445DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 8V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3445DV-T1-GE3供应商

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SI3445DV-T1-GE3 深圳市创芯联盈电子有限公司 0755-88291559
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RNCF1206TKT226K
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 226K OHM 1/8W 0.01% 1206
MDM-51PH025L
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 10"
SI6955ADQ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP

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