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SI2343CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：590pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2343CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：590pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2343CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 4.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：590pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

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STD06W-0
标记 TE Connectivity MARKER SNAP-ON 0 2.6-3.5MM WHITE
SSA-114-W-T-RA
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 3-SIP CONN RCPT .100" 14POS TIN WW R/A
SMAJ54CA-E3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 54V 5% SMA
SI5447DC-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
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SCR - 单个 Vishay Semiconductors TO-209AC，TO-94-4，接线柱 SCR INVERTER 800V 85A TO-94
RT9261-35GB
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG BOOST 3.5V 60MA SOT23-5