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SI2302CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：710mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2302CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：710mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2302CDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：710mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

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接口 - 驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC LOW DRIVERS/REC ENABLE 24SSOP
SN74LVC1G02DBVT
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC GATE NOR 2-INP SOT23-5
SPP100N04S2L-03
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
SQCB7A390GATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 39PF 500V 2% 1111
MS27497E18B35BA
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 66POS WALL MT SCKT
SDR-70
连接器，互连器件 CUI Inc 非标准 CONN DIN 7PIN R/ANGLE PLUG