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SI2301 全国供应商、价格、PDF资料

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SI2301BDS-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:剪切带 (CT)

SI2301BDS-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:Digi-Reel®

SI2301BDS-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)

SI2301BDS-T1-GE3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:375pF @ 6V
功率_最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)

SI2301CDS-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:剪切带 (CT)

SI2301CDS-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 10V
功率_最大:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)

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