SI1967DH-T1-E3的供应信息|PDF资料|求购SI1967DH-T1-E3上51电子网

SI1967DH-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：490 毫欧 @ 910mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：带卷 (TR)

SI1967DH-T1-E3供应商

RNF14FTE523K
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/4W 523K OHM 1% AXIAL
RT0805FRE07316KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 316K OHM 1/8W 1% SMD 0805
SI1958DH-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
RW2-2409S
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 18-36VIN 09VOUT
RT0805CRD0784R5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 84.5 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT1206FRE0744K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 44.2K OHM 1/4W 1% SMD 1206
MDM-31PH006M3
D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 31POS PIN 36" WIRE
SD14-470-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 47UH SMD
RNF14FTE56K2
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/4W 56.2K OHM 1% AXIAL
RW2-2412D/H2
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 18-36VIN +/-12VOUT
RT0805CRD07887RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 887 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RT1206FRE0744R2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 44.2 OHM 1/4W 1% SMD 1206
MDM-31PH023P
D-Sub ITT Cannon MICRO 31POS PIN 20"
SD14-4R5-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 4.5UH SMD
RNF14FTE6K98
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/4W 6.98K OHM 1% AXIAL

SI1967DH-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料