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SI1965DH-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：390 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.2nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 6V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：带卷 (TR)

SI1965DH-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：390 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.2nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 6V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1965DH-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：390 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.2nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：120pF @ 6V; 功率_最大：1.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：Digi-Reel®

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矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 27POS R/A SGL AU
RT9108NLZCP
线性 - 音頻放大器 Richtek USA Inc IC STEREO AMP 9W CLASS D 16TSSOP
SMAJ45A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 45V 400W UNI 5% SMA
SS65100-031F
模块 - 插孔 Stewart Connector CONN MOD JACK 10P10C
MP4-2N-2N-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
SRR7045-560M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 56UH 850MA SMD