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SI1426DH-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：带卷 (TR)

SI1426DH-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：Digi-Reel®

SI1426DH-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：剪切带 (CT)

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电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 1UF 350V 20% RADIAL
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陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
SFA44S15K375B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 15UF 440VAC QC TERM
SG-51P 20.4800MC
振荡器 EPSON 14-DIP，4 引线（全尺寸） OSCILLATOR 20.4800MHZ PDIP
SJ-3503-SMT
套管 - 音频 CUI Inc CONN JACK 3.5MM R/A STEREO SMD
SR155C103KAAAP2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
SK017C103KAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 500V 10% RADIAL