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SI1300BDL-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 250mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.84nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：35pF @ 10V; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：Digi-Reel®

SI1300BDL-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 250mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.84nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：35pF @ 10V; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：带卷 (TR)

SI1300BDL-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：400mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫欧 @ 250mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.84nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：35pF @ 10V; 功率_最大：200mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70-3; 包装：剪切带 (CT)

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SI1120-A-GMR
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SG-310SCF 48.0000MC3
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SJ5904
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SR155A681FAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 50V 1% RADIAL
RT1206CRE07215RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 215 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SR075A181KARAP1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 180PF 50V 10% RADIAL
SJ-2513-SMT
套管 - 音频 CUI Inc CONN STEREO JACK 2.5MM SMT T&R
SG-310SEF 25.0000MB3
振荡器 EPSON 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 25.0000 MHZ 1.8V SMD
SJ61A1
缓冲器，支脚，焊盘，握把 3M BUMPON CYLINDRICAL .312X.200 BLK
SR155A681FAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 50V 1% RADIAL
RT1206CRE0721K5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 21.5K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SR075A220JAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 20PF 50V 5% RADIAL