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SI1065X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 1.18A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 6V; 功率_最大：236mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1065X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 1.18A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 6V; 功率_最大：236mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SI1065X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 1.18A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 6V; 功率_最大：236mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

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