SI1035X-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

SI1035X-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SC-89-6

包装：剪切带 (CT)

SI1035X-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SC-89-6

包装：带卷 (TR)

SI1035X-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SC-89-6

包装：Digi-Reel®