SI1024X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:485mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1024X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:485mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1024X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:485mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1024X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:485mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1024X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:485mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1024X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:485mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.75nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC 1W 15VIN 24VOUT
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD-123
- 阵列,信号变压器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 15UH SMD
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK SHLD 10/100/1000BT
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS DIODE 600W 13V 1CH BI SMA
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 4.7V SOD123
- 阵列,信号变压器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 220UH SMD
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS DIODE 600W 15V 1CH UNI SMA
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK 1PT GIGABIT G/R
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT