SI1023X-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI1023X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:370mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1023X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:370mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1023X-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:370mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1023X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:370mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1023X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:370mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1023X-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:370mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SC-89-6
- 包装:Digi-Reel®
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-221AC,SMA 扁平引线 TVS DIODE 8.5V 1CH UNI DO-221AC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD-123
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 35POS SNGL GOLD
- 阵列,信号变压器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 1000UH SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 10V BIDIRECT SMA
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC 1W 15VIN 24VOUT
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD-123
- 阵列,信号变压器 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 IND SHIELDED POWER 15UH SMD
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70POS DUAL GOLD
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK SHLD 10/100/1000BT
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS DIODE 600W 13V 1CH BI SMA