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S1D详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE GPP 1A 200V GEN PURP SMA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：200V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 1A; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：1.8µs; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 200V; 电容0a0VrwwwwF：12pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：DO-214AC（SMA）; 包装：Digi-Reel®

S1D详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE GPP 1A 200V GEN PURP SMA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：200V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 1A; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：1.8µs; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 200V; 电容0a0VrwwwwF：12pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：DO-214AC（SMA）; 包装：剪切带 (CT)

S1D详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE GPP 1A 200V GEN PURP SMA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：200V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 1A; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：1.8µs; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 200V; 电容0a0VrwwwwF：12pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：DO-214AC（SMA）; 包装：带卷 (TR)

S1D/1详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE 1A 200V SMA; 系列：-; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：200V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 1A; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：1.8µs; 电流_在Vr时反向漏电：1µA @ 200V; 电容0a0VrwwwwF：12pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：DO-214AC（SMA）; 包装：带卷 (TR)

S1D-13详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：RECTIFIER GPP SMD 200V 1A SMA; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：200V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 1A; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：3µs; 电流_在Vr时反向漏电：5µA @ 200V; 电容0a0VrwwwwF：10pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：SMA; 包装：剪切带 (CT)

S1D-13详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：RECTIFIER GPP SMD 200V 1A SMA; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：200V; 电流_平均整流333Io444：1A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.1V @ 1A; 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：3µs; 电流_在Vr时反向漏电：5µA @ 200V; 电容0a0VrwwwwF：10pF @ 4V，1MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：SMA; 包装：带卷 (TR)

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