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RSS085N05FU6TB详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：45V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21.4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：带卷 (TR)

RSS085N05FU6TB详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：45V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21.4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：剪切带 (CT)

RSS085N05FU6TB详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：45V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 8.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21.4nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOP; 包装：Digi-Reel®

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