RQ3E130MNTB1 全国供应商、价格、PDF资料

RQ3E130MNTB1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：

RQ3E130MNTB1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：

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类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：