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RG2012P-2801-B-T5详细规格: 类别：芯片电阻 - 表面安装; 描述：RES 2.80K OHM 1/8W .1% 0805; 系列：RG; 制造商：Susumu; 电阻333Ω444：2.8k; 功率333W444：0.125W，1/8W; 成分：薄膜; 特性：-; 温度系数：±25ppm/°C; 容差：±0.1%; 封装/外壳：0805（2012 公制）; 供应商器件封装：0805（2012 公制）; 大小/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）; 高度：0.020"（0.50mm）; 端子数：2; 包装：带卷 (TR)

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RJK0328DPB-00#J0
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100，SOT-669 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
RG2012P-4750-B-T5
芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 475 OHM 1/8W .1% 0805 SMD
RCL121836R0JNEK
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 宽 1812（4532 公制），1218 RES 36 OHM 1W 5% 1218 WIDE
RG2012P-274-B-T1
芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 270K OHM 1/8W .1% 0805
REF102AU/2K5G4
PMIC - 电压基准 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC VREF SERIES PREC 10V 8-SOIC
RCL12254R32FKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 宽 2512（6432 公制），1225 RES 4.32 OHM 2W 1% 1225 WIDE
M83723/78R10026
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations 宽 2512（6432 公制），1225 CONN PLUG 2POS STRAIGHT W/PINS
RMCF0805FT8M20
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES TF 1/8W 8.2M OHM 1% 0805
RJK0328DPB-00#J0
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100，SOT-669 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
RG2012P-4750-W-T1
芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805（2012 公制） RES 475 OHM 1/8W .05% 0805
RCL121838R3FKEK
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 宽 1812（4532 公制），1218 RES 38.3 OHM 1W 1% 1218 WIDE
M83723/78R10056
连接器，互连器件 TE Connectivity 宽 1812（4532 公制），1218 CONN PLUG 5POS STRGHT W/PINS
RCL12254R70JNEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 宽 2512（6432 公制），1225 RES 4.7 OHM 2W 5% 1225 WIDE
RMCF0805FT909K
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805（2012 公制） RES 909K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
RJK0329DPB-00#J0
FET - 单 Renesas Electronics America SC-100，SOT-669 MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

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