R6008FNJTL 全国供应商、价格、PDF资料

R6008FNJTL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 4A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 25V

功率_最大：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-83

供应商设备封装：LPTS

包装：带卷 (TR)

R6008FNJTL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 4A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 25V

功率_最大：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-83

供应商设备封装：LPTS

包装：剪切带 (CT)

R6008FNJTL详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：600V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 4A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 25V

功率_最大：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-83

供应商设备封装：LPTS

包装：Digi-Reel®