QS6K21TR 全国供应商、价格、PDF资料

QS6K21TR详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：45V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：TSMT6

包装：剪切带 (CT)

QS6K21TR详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：45V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：TSMT6

包装：Digi-Reel®

QS6K21TR详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：45V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：TSMT6

包装：带卷 (TR)