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PSMN4R3-80ES,127 全国供应商、价格、PDF资料

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PSMN4R3-80ES,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：（nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8161pF @ 40V; 功率_最大：306W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

PSMN4R3-80ES,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：（nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8161pF @ 40V; 功率_最大：306W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

PSMN4R3-80ES,127供应商

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R0.25D10-3.33.3/P
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-3.3VOUT
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