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PSMN3R5-80ES,127 全国供应商、价格、PDF资料

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PSMN3R5-80ES,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：139nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9800pF @ 30V; 功率_最大：338W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

PSMN3R5-80ES,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：139nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9800pF @ 30V; 功率_最大：338W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：I2PAK; 包装：管件

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