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PSMN3R0-30YL,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2822pF @ 12V; 功率_最大：81W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：Digi-Reel®

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PSMN3R0-30YL,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2822pF @ 12V; 功率_最大：81W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK; 供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8; 包装：剪切带 (CT)

PSMN2R8-80BS,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSF N CH 80V 120A D2PAK
PE-53145NL
固定式 Pulse Electronics Corporation 径向 INDUCTOR 220UH FOR 50KHZ SWITCHR
PHN.3F.330.XLM
连接器，互连器件 LEMO 8-VDFN 裸露焊盘 RECPT CDN 30CTS
PD0100WH10233BJ1
陶瓷 Vishay Beyschlag 轴向 CAP CER 1000PF 13KV 5% CHASSIS
PF0033/15/63
电源输入 - 输入端，输出端，模块 Bulgin 圆盘形，金属配接件 - 有螺纹 PWR MOD 6.3MM TWIN FUSE SNAP IN
MS3456L32-17P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 4POS STRAIGHT W/PINS
MS3124E20-16PXF0
圆形 - 外壳 ITT Cannon CONN HSG JAM NUT RCPT 16POS
PCN21B-110SAA-2PF-G
背板 - 硬公制，标准 Hirose Electric Co Ltd CONN RECEPT METRIC 2MM 110PIN
PE-53601NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 22.7UH SMD
PD0100WH10236BJ1
陶瓷 Vishay Beyschlag 轴向 CAP CER 1000PF 13KV 10% CHASSIS
MS3456L32-17PW
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 4POS STRAIGHT W/PINS
PCN21B-125PAB-2PF
背板 - 硬公制，标准 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER METRIC 2MM 125PIN
MS3124E20-16SY
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 16POS JAM NUT W/SCKT
PF0382.104NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCT PWR 100UH SMD
PHP01206E1002BBT5
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 1206（3216 公制） RES 10K OHM 1W .1% 1206

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