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PSMN1R6-30PL,127 全国供应商、价格、PDF资料

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PSMN1R6-30PL,127详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 毫欧 @ 25A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：212nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：12493pF @ 12V
功率_最大：306W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件

PSMN1R6-30PL,127详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 毫欧 @ 25A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：212nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：12493pF @ 12V
功率_最大：306W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件

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