PSMN1R2-25YL 全国供应商、价格、PDF资料
PSMN1R2-25YL,115详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6380pF @ 12V
- 功率_最大:121W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT1023,4-LFPAK
- 供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
- 包装:剪切带 (CT)
PSMN1R2-25YL,115详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6380pF @ 12V
- 功率_最大:121W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT1023,4-LFPAK
- 供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
- 包装:Digi-Reel®
PSMN1R2-25YL,115详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6380pF @ 12V
- 功率_最大:121W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
- 包装:带卷 (TR)
PSMN1R2-25YLC,115详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.3 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4173pF @ 12V
- 功率_最大:179W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
- 包装:剪切带 (CT)
PSMN1R2-25YLC,115详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.3 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4173pF @ 12V
- 功率_最大:179W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
- 包装:Digi-Reel®
PSMN1R2-25YLC,115详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.3 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.95V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4173pF @ 12V
- 功率_最大:179W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
- 供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 14-SIP 模块 SERIAL CNVRTR UNIT IRONLESS MO
- 配件 Capital Advanced Technologies 14-SIP 模块 SIP PIN FOR EDGE OF PCB TIN
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
- 功率 Tamura TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA TRANSF LO PRO DUAL 5VAC 2.0A
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 12.6K OHM 0.01% 5PPM 0805SMD
- 固定式 Bourns Inc. 1210(3225 公制) INDUCTOR CHIP 1.0UH 10% 1210 SMD
- 电源输入 - 模块 TE Connectivity 1210(3225 公制) MODULE PWR ENT DL FUSE FILTER 6A
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1210(3225 公制) MOUNTING OPTION L-BRACKETS
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP 模块 REGULATOR 12V 1.25A 14SIP VERT
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 0805(2012 公制) RES 13.0K OHM 0.01% 5PPM 0805SMD
- 配件 Switchcraft Inc. 0805(2012 公制) SWITCH PLASTIC BARRIER END BLACK
- 电源输入 - 模块 TE Connectivity 0805(2012 公制) MODULE PWR ENT DL FUSE FILTER 6A
- 固定式 Bourns Inc. 1210(3225 公制) INDUCTOR CHIP 39UH 10% 1210 SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1210(3225 公制) MOUNTING OPTION L-BRACKETS
- DC DC Converters Texas Instruments 14-SIP SMD 模块 REG 5V-9V 3A SIP HSMD HT