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» 型号"PSMN102-200Y,115"的供应信息
PSMN102-200Y,115 全国供应商、价格、PDF资料
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PSMN102-200Y,115详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:102 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1568pF @ 30V
功率_最大:113W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
包装:带卷 (TR)
PSMN102-200Y,115详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:102 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1568pF @ 30V
功率_最大:113W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
包装:剪切带 (CT)
PSMN102-200Y,115详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21.5A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:102 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:30.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1568pF @ 30V
功率_最大:113W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装:LFPAK,Power-SO8
包装:Digi-Reel®
PSMN102-200Y,115供应商
查看更多PSMN102-200Y,115的供应商
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