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» 型号"PSMN013-30LL,115"的供应信息
PSMN013-30LL,115 全国供应商、价格、PDF资料
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PSMN013-30LL,115详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:768pF @ 15V
功率_最大:41W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-QFN(3.3x3.3)
包装:剪切带 (CT)
PSMN013-30LL,115详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:768pF @ 15V
功率_最大:41W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-QFN(3.3x3.3)
包装:带卷 (TR)
PSMN013-30LL,115详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.15V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12.2nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:768pF @ 15V
功率_最大:41W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:8-QFN(3.3x3.3)
包装:Digi-Reel®
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MS3456L20-27PW
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PCMC053T-2R2MN
固定式 Susumu 非标准 COIL 2.2 UH POWER CHOKE 20% SMD
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PCX1H5R6MCL1GS
电容器 Nichicon 径向,Can - SMD CAP ALUM 5.6UF 50V 20% SMD
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