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» 型号"PSMN012-60YS,115"的供应信息
PSMN012-60YS,115 全国供应商、价格、PDF资料
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PSMN012-60YS,115详细规格
类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.1 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：28.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1685pF @ 30V
功率_最大：89W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
包装：带卷 (TR)
PSMN012-60YS,115详细规格
类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.1 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：28.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1685pF @ 30V
功率_最大：89W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
包装：剪切带 (CT)
PSMN012-60YS,115详细规格
类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.1 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：28.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1685pF @ 30V
功率_最大：89W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
包装：带卷 (TR)
PSMN012-60YS,115详细规格
类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.1 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：28.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：1685pF @ 30V
功率_最大：89W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
包装：Digi-Reel®
PSMN012-60YS,115供应商
查看更多PSMN012-60YS,115的供应商
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R88A-CRKC020NR-E
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模块（8 引线） 20M CRKC HIGH FLEX ENCODER CAB
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