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PMV60EN 全国供应商、价格、PDF资料

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PMV60EN,215详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 30V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

PMV60EN,215详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 30V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

PMV60EN,215详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 30V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:剪切带 (CT)

PMV60EN,215详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫欧 @ 2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 30V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:Digi-Reel®

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