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PMBT3904VS,115 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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PMBT3904VS,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/NPN 40V 200MA SOT666
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：2 NPN（双）
电流_集电极333Ic444（最大）：200mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
电流_集电极截止（最大）：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V
功率_最大：360mW
频率_转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-666
包装：Digi-Reel®

PMBT3904VS,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/NPN 40V 200MA SOT666
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：2 NPN（双）
电流_集电极333Ic444（最大）：200mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
电流_集电极截止（最大）：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V
功率_最大：360mW
频率_转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-666
包装：剪切带 (CT)

PMBT3904VS,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/NPN 40V 200MA SOT666
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：2 NPN（双）
电流_集电极333Ic444（最大）：200mA
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
电流_集电极截止（最大）：-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V
功率_最大：360mW
频率_转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-666
包装：带卷 (TR)

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