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PHP225,118详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫欧 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

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PDB-C107
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PD100MC0MP
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PSMN7R0-100XS,127
FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 隔离片 MOSFET N CH 100V 55A TO220F
PE-61017
其它 Pulse Electronics Corporation 非标准 TRANSFORMER
PC112-H25D-C0
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