PHB20NQ20T,118 全国供应商、价格、PDF资料

PHB20NQ20T,118详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK

系列：*

制造商：NXP Semiconductors

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：

PHB20NQ20T,118详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 10A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：2470pF @ 25V

功率_最大：150W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

PHB20NQ20T,118详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK

系列：*

制造商：NXP Semiconductors

FET型：

FET特点：

漏极至源极电压333Vdss444：

电流_连续漏极333Id4440a025000C：

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id时的Vgs333th444（最大）：

闸电荷333Qg4440a0Vgs：

输入电容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：