PDTC123JT,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
PDTC123JT,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
PDTC123JT,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN 50V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
PDTC123JT,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
PDTC123JT,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
PDTC123JT,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):47k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 10mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
- 电流_集电极截止(最大):1µA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
- 接口 - I/O 扩展器 Texas Instruments 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/Welwyn 0805(2012 公制) RES 221K OHM 0.1W 0805 0.1% SMD
- 过时/停产零件编号 SofTec Microsystems SRL PROG HEAD FOR MP8011A 20-SOIC
- RF FET STMicroelectronics PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
- DC DC Converters GE 8-DIP SMD 模块,1/16 砖 CONVERTER DC/DC 5V 30W OUT SMD
- TVS - 二极管 TE Connectivity 0402(1005 公制) ESD PROTECTOR 0402 14VDC POLYMER
- 热 - 垫,片 t-Global Technology 14-SOIC(0.256",6.50mm 宽) THERMAL PAD 5X5X0.25MM
- 接口 - I/O 扩展器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC I/O EXPANDER I2C 16B 24VQFN
- RF FET STMicroelectronics PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) TRANSISTOR RF POWERSO-10
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/Welwyn 0805(2012 公制) RES 22.1K OHM 0.1W 0805 0.1% SMD
- 原型开发板 - 未穿孔 Injectorall Electronics 8-DIP(0.300",7.62mm) PCB COPPER CLAD POS 4.5X7"1 SIDE
- 接口 - I/O 扩展器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC I/O EXPANDER I2C 16B 24VQFN
- TVS - 二极管 TE Connectivity 0402(1005 公制) ESD PROTECTOR 0402 14VDC POLYMER
- DC DC Converters GE 8-DIP SMD 模块,1/16 砖 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT SMD