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PBSS5320D,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 2A，2V; 功率_最大：750mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

PBSS5320D,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 2A，2V; 功率_最大：750mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

PBSS5320D,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 20V 3A LO-SAT 6TSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 2A，2V; 功率_最大：750mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-74，SOT-457; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

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