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PBSS4140DPN,115 全国供应商、价格、PDF资料

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PBSS4140DPN,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN，PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：1A
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 500mA，5V
功率_最大：370mW
频率_转换：150MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：带卷 (TR)

PBSS4140DPN,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN，PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：1A
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 500mA，5V
功率_最大：600mW
频率_转换：150MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：剪切带 (CT)

PBSS4140DPN,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN，PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：1A
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 500mA，5V
功率_最大：600mW
频率_转换：150MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：带卷 (TR)

PBSS4140DPN,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列
描述：TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN，PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：1A
电压_集电极发射极击穿（最大）：40V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 500mA，5V
功率_最大：600mW
频率_转换：150MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：Digi-Reel®

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