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» 型号"PBSS4021PX,115"的供应信息
PBSS4021PX,115 全国供应商、价格、PDF资料
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PBSS4021PX,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP 20V 6.2A SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):6.2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):265mV @ 345mA,6.9A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 4A,2V
功率_最大:2.5W
频率_转换:105MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:Digi-Reel®
PBSS4021PX,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP 20V 6.2A SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):6.2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):265mV @ 345mA,6.9A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 4A,2V
功率_最大:2.5W
频率_转换:105MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:带卷 (TR)
PBSS4021PX,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP 20V 6.2A SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):6.2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):265mV @ 345mA,6.9A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 4A,2V
功率_最大:2.5W
频率_转换:105MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:带卷 (TR)
PBSS4021PX,115详细规格
类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP 20V 6.2A SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):6.2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):265mV @ 345mA,6.9A
电流_集电极截止(最大):100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:150 @ 4A,2V
功率_最大:2.5W
频率_转换:105MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-243AA
供应商设备封装:SOT-89-3
包装:剪切带 (CT)
PBSS4021PX,115供应商
PBSS4021PX,115
深圳市海虹微电子有限公司
0755-83291010
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