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PBSS4021NZ,115 全国供应商、价格、PDF资料

型号：厂商：批号：封装：
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PBSS4021NZ,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS NPN 20V 8A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN
电流_集电极333Ic444（最大）：8A
电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：170mV @ 400mA，8A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.6W
频率_转换：95MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：SC-73
包装：剪切带 (CT)

PBSS4021NZ,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS NPN 20V 8A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN
电流_集电极333Ic444（最大）：8A
电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：170mV @ 400mA，8A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.6W
频率_转换：95MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：SC-73
包装：带卷 (TR)

PBSS4021NZ,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS NPN 20V 8A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN
电流_集电极333Ic444（最大）：8A
电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：170mV @ 400mA，8A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.6W
频率_转换：95MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：SC-73
包装：Digi-Reel®

PBSS4021NZ,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路
描述：TRANS NPN 20V 8A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：NPN
电流_集电极333Ic444（最大）：8A
电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：170mV @ 400mA，8A
电流_集电极截止（最大）：100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 4A，2V
功率_最大：2.6W
频率_转换：95MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：SC-73
包装：带卷 (TR)

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