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PBLS2023D,115 全国供应商、价格、PDF资料

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PBLS2023D,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述：LOADSWITCH PNP 1.8A 20V 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，1.8A
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，20V
电阻器_基极333R1444（欧）：10k
电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
电流_集电极截止（最大）：1µA，100nA
频率_转换：130MHz
功率_最大：760mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：带卷 (TR)

PBLS2023D,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述：LOADSWITCH PNP 1.8A 20V 6TSOP
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，1.8A
电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，20V
电阻器_基极333R1444（欧）：10k
电阻器_发射极333R2444（欧）：10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 200 @ 1A，2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A
电流_集电极截止（最大）：1µA，100nA
频率_转换：130MHz
功率_最大：760mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商设备封装：6-TSOP
包装：带卷 (TR)

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