PBHV8115Z,115 全国供应商、价格、PDF资料

PBHV8115Z,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 1A 150V SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 200mA，1A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500mA，10V

功率_最大：1.4W

频率_转换：30MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：剪切带 (CT)

PBHV8115Z,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 1A 150V SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 200mA，1A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500mA，10V

功率_最大：1.4W

频率_转换：30MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：带卷 (TR)

PBHV8115Z,115详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 1A 150V SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 200mA，1A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500mA，10V

功率_最大：1.4W

频率_转换：30MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SC-73

包装：Digi-Reel®