NVD5807NT4G 全国供应商、价格、PDF资料
NVD5807NT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.7 毫欧 @ 48A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:82nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6000pF @ 25V
- 功率_最大:4.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 82.0K OHM 1/4W 0.1% 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP 2MHZ SGL HS 8SOIC
- FET - 单 ON Semiconductor TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 82.0 OHM 1/4W 0.1% 1206
- FET - 单 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N CH 40V 16.4A DPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP GP 2.8MHZ DUAL 8DIP
- FET - 阵列 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-BSSOP(0.433",11.00mm 宽)裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 100W D 36SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 82.5 OHM 1/4W 0.1% 1206
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOT-563,SOT-666 SOFTWARE CD-ROM V4.2
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP 2.8MHZ DUAL 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 5.36K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-BSSOP(0.433",11.00mm 宽)裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 100W D 36SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206(3216 公制) RES 84.5K OHM 1/4W 0.1% 1206