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NTTFS5826NLTAG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET PWR N-CH 60V 8A 8-WDFN; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WDFN（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

NTTFS5826NLTAG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET PWR N-CH 60V 8A 8-WDFN; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WDFN（3.3x3.3）; 包装：Digi-Reel®

NTTFS5826NLTAG详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET PWR N-CH 60V 8A 8-WDFN; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘; 供应商设备封装：8-WDFN（3.3x3.3）; 包装：剪切带 (CT)

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OPA2364AIDGKT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC OPAMP GP R-R 7MHZ DUAL 8MSOP
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OSTHX202281
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 3.50MM 20POS
P6SMB6.8CAHE3/5B
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS 600W 6.8V 5% BIDIR SMB
OSTOQ177551
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 17POS 5MM

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