NTP27N06详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1015pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
NTP27N06G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:46 毫欧 @ 13.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1015pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
NTP27N06L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫欧 @ 13.5A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:990pF @ 25V
- 功率_最大:88.2W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SWITCH SLOTTED OPTICAL WIRE LDS
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 150K OHM 4 RES 1206
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 19V 500MW SOD-123
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC,DO-15,轴向 TVS 600W 33V 5% UNIDIR AXIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 3.9UH 10% 1210
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 16 OHM 4 RES 1206
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 20V 500MW SOD-123
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 4.7UH 10% 1210
- TVS - 二极管 Comchip Technology DO-204AC,DO-15,轴向 TVS 600W 33V 5% UNIDIR DO-15