NTMFS4955NT1G 全国供应商、价格、PDF资料
NTMFS4955NT1G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 48A SO8 FL
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.8nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1264pF @ 15V
- 功率_最大：920mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
- 供应商设备封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
- 包装：带卷 (TR)
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD-123
- FET - 单 ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8 FL
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，轴向 DIODE TVS 250V 600W 5% BI AXL
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 330NH 5% 1210
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 39 OHM 2 RES 0606
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 7.5V SOD-123
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1210
- TVS - 二极管 Microsemi Commercial Components Group T-18，轴向 TRANS VOLT SUPP 250V 600W BIDIR
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 39K OHM 2 RES 0606
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 7.5V SOD-123
0755-83798683 
0755-83679110 
0755-23612326 
13410941925 
0755-83242658 
13528893675 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-82563615 
15899765957 1 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
